MOSFET IRFPC50PBF N-kanálový 11 A 600 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
180 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Höhe
20.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 4,75
€ 4,75 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 4,75
€ 4,75 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 4,75 |
10 - 49 | € 4,27 |
50 - 99 | € 4,04 |
100 - 249 | € 3,90 |
250+ | € 3,52 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
180 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Höhe
20.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku