MOSFET IRLU110PBF N-kanálový 4,3 A 100 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 41,22
€ 0,55 Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
€ 41,22
€ 0,55 Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,55 | € 41,22 |
| 150 - 300 | € 0,522 | € 39,16 |
| 375+ | € 0,495 | € 37,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products