MOSFET SI2304DDS-T1-GE3 N-kanálový 3,6 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.4mm
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 12,30
€ 0,246 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 12,30
€ 0,246 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,246 | € 12,30 |
| 500 - 1200 | € 0,172 | € 8,62 |
| 1250 - 2450 | € 0,135 | € 6,77 |
| 2500 - 4950 | € 0,123 | € 6,16 |
| 5000+ | € 0,111 | € 5,53 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.4mm
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products