MOSFET SI2308BDS-T1-GE3 N-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 710-3257Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI2308BDS-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

156 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.09 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

4,5 nC při 10 V

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 9,10

€ 0,455 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI2308BDS-T1-GE3 N-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 20.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 20.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 9,10
40€ 18,20
60€ 27,30
80€ 36,40
100€ 45,50
120€ 54,60
140€ 63,70
160€ 72,80
180€ 81,90
200€ 68,40
220€ 75,24
240€ 82,08
260€ 88,92
280€ 95,76
300€ 102,60

€ 9,10

€ 0,455 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI2308BDS-T1-GE3 N-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 20.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 20.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 9,10
40€ 18,20
60€ 27,30
80€ 36,40
100€ 45,50
120€ 54,60
140€ 63,70
160€ 72,80
180€ 81,90
200€ 68,40
220€ 75,24
240€ 82,08
260€ 88,92
280€ 95,76
300€ 102,60

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaBalík
20 - 180€ 0,455€ 9,10
200 - 480€ 0,342€ 6,84
500 - 980€ 0,318€ 6,37
1000 - 1980€ 0,274€ 5,47
2000+€ 0,228€ 4,55

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

156 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.09 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

4,5 nC při 10 V

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more