Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.4mm
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 8 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,23
€ 0,412 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 8,23
€ 0,412 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,412 | € 8,23 |
200 - 480 | € 0,305 | € 6,10 |
500 - 980 | € 0,255 | € 5,10 |
1000 - 1980 | € 0,226 | € 4,52 |
2000+ | € 0,164 | € 3,29 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
75 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.4mm
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 8 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku