MOSFET SI4532CDY-T1-GE3 N/P-kanálový-kanálový 4,3 A, 6 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4,3 A, 6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ, 140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.78 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 10 V, 7,8 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,42
€ 0,571 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 11,42
€ 0,571 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,571 | € 11,42 |
| 200 - 480 | € 0,486 | € 9,71 |
| 500 - 980 | € 0,457 | € 9,14 |
| 1000 - 1980 | € 0,429 | € 8,58 |
| 2000+ | € 0,399 | € 7,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4,3 A, 6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ, 140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.78 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 10 V, 7,8 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products