MOSFET SI7288DP-T1-GE3 N-kanálový 20 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
15.6 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,76
€ 1,176 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 11,76
€ 1,176 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,176 | € 11,76 |
| 100 - 240 | € 1,117 | € 11,17 |
| 250 - 490 | € 0,941 | € 9,41 |
| 500 - 990 | € 0,882 | € 8,82 |
| 1000+ | € 0,823 | € 8,23 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
15.6 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products