řada: TrenchFETMOSFET SIRA00DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 787-9367PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SIRA00DP-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,35 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Maximální ztrátový výkon

104 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.25mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

147 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.26mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.12mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 116,20

€ 2,324 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: TrenchFETMOSFET SIRA00DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

50

Dostupné v násobkoch 5
50€ 116,20
55€ 127,82
60€ 139,44
65€ 151,06
70€ 162,68
75€ 174,30
80€ 185,92
85€ 197,54
90€ 209,16
95€ 220,78
100€ 232,40
105€ 244,02
110€ 255,64
115€ 267,26
120€ 278,88

€ 116,20

€ 2,324 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: TrenchFETMOSFET SIRA00DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

50

Dostupné v násobkoch 5
50€ 116,20
55€ 127,82
60€ 139,44
65€ 151,06
70€ 162,68
75€ 174,30
80€ 185,92
85€ 197,54
90€ 209,16
95€ 220,78
100€ 232,40
105€ 244,02
110€ 255,64
115€ 267,26
120€ 278,88

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
50 - 120€ 2,324€ 11,62
125 - 245€ 2,102€ 10,51
250 - 495€ 1,978€ 9,89
500+€ 1,856€ 9,28

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,35 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.1V

Maximální ztrátový výkon

104 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.25mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

147 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.26mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.12mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more