řada: ThunderFETMOSFET SIS468DN-T1-GE3 N-kanálový 30 A 80 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Řada
ThunderFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,1 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
3.4mm
Länge
3.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.12mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 533,60
€ 0,511 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 533,60
€ 0,511 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Řada
ThunderFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,1 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
3.4mm
Länge
3.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.12mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products