MOSFET C2M0080120D N-kanálový 31 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
31 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
208 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
208 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
49,2 nC při 20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
16.13mm
Breite
5.21mm
Materiál tranzistoru
SiC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
21.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 31,33
€ 31,33 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 31,33
€ 31,33 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 5 | € 31,33 |
| 6 - 14 | € 29,29 |
| 15+ | € 28,57 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
31 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
208 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
208 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
49,2 nC při 20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
16.13mm
Breite
5.21mm
Materiál tranzistoru
SiC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
21.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed Z-FET™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET™. Řada dalších generací SiC MOSFET společnosti Cree od společnosti Wolfspeed, která přináší špičkovou hustotu energie a efektivitu přepínání. Tato nízkokapacitní zařízení umožňují vyšší přepínací frekvence a snižují požadavky na chlazení, čímž zvyšují celkovou provozní efektivitu systému.
• Zlepšení - režimová technologie N-channel SiC
• Vysoké napětí Drain-Source - až 1200 V
• Více zařízení lze snadno paralelní a snadno ovladatelná
• Vysokorychlostní přepínání s nízkým odporem
• Ovládání odolné proti západky
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products