MOSFET DMC2038LVT-7 N/P-kanálový-kanálový 2,1 A, 5,2 A 20 V, TSOT-26, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.1 A, 5.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOT-26
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
56 mΩ, 168 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V, 14 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Breite
1.65mm
Länge
2.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 63,12
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
600
€ 63,12
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
600
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,105 | € 5,26 |
| 1500+ | € 0,078 | € 3,89 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.1 A, 5.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOT-26
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
56 mΩ, 168 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V, 14 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Breite
1.65mm
Länge
2.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products