MOSFET DMG4511SK4-13 N/P-kanálový-kanálový 9,3 A, 9,6 A 35 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.3 A, 9.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
35 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
8.9 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,7 nC při 10 V, 19,2 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,42
€ 0,571 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 11,42
€ 0,571 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,571 | € 11,42 |
| 100 - 480 | € 0,368 | € 7,36 |
| 500 - 980 | € 0,33 | € 6,61 |
| 1000+ | € 0,295 | € 5,90 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.3 A, 9.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
35 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
8.9 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,7 nC při 10 V, 19,2 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products