MOSFET ZXMP3A13FTA P-kanálový 1.6 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
210 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
806 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,8 nC při 5 V, 6,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.05mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,61
€ 0,261 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 2,61
€ 0,261 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,261 | € 2,61 |
| 30 - 140 | € 0,154 | € 1,54 |
| 150 - 740 | € 0,136 | € 1,36 |
| 750 - 1490 | € 0,115 | € 1,15 |
| 1500+ | € 0,094 | € 0,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
DiodesZetexTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
210 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
806 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,8 nC při 5 V, 6,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.05mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products