Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+16 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.35mm
Länge
5.49mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
36 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.62V
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 10,86
€ 2,172 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 10,86
€ 2,172 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,172 | € 10,86 |
25 - 45 | € 1,932 | € 9,66 |
50 - 120 | € 1,802 | € 9,01 |
125 - 245 | € 1,694 | € 8,47 |
250+ | € 1,564 | € 7,82 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+16 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.35mm
Länge
5.49mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
36 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.62V
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.