řada: OptiMOS™MOSFET BSS214NWH6327XTSA1 N-kanálový 1,5 A 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,8 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 29,29
€ 0,117 Each (On a Reel of 250) (bez DPH)
250
€ 29,29
€ 0,117 Each (On a Reel of 250) (bez DPH)
250
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
250 - 750 | € 0,117 | € 29,29 |
1000 - 2750 | € 0,091 | € 22,78 |
3000 - 5750 | € 0,078 | € 19,51 |
6000+ | € 0,074 | € 18,57 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,8 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.