Paměť FRAM FM25V02A-DG, SPI, 256kbit 32K x 8 bitůů 16ns 2 V až 3,6 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85 °C, DFN
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
16ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Breite
4mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
32K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 14,69
€ 7,345 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 14,69
€ 7,345 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 7,345 | € 14,69 |
| 10 - 18 | € 5,655 | € 11,31 |
| 20 - 98 | € 5,51 | € 11,02 |
| 100 - 498 | € 5,365 | € 10,73 |
| 500+ | € 5,235 | € 10,47 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
16ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
DFN
Pinanzahl
8
Abmessungen
4 x 4.5 x 0.7mm
Länge
4.5mm
Breite
4mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Höhe
0.7mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Počet slov
32K
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2 V
Počet bitů na slovo
8bit
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products