Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
16 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
20kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
600pF
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Jmenovitá energie
2.28mJ
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 15,17
€ 3,791 Each (In a Pack of 4) (bez DPH)
Štandardný
4
€ 15,17
€ 3,791 Each (In a Pack of 4) (bez DPH)
Štandardný
4
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
4 - 16 | € 3,791 | € 15,16 |
20 - 36 | € 3,601 | € 14,40 |
40 - 96 | € 3,45 | € 13,80 |
100 - 196 | € 3,224 | € 12,90 |
200+ | € 3,034 | € 12,14 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
16 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Rychlost spínání
20kHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
600pF
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Jmenovitá energie
2.28mJ
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
Velmi nízký VCEsat
Nízké ztráty při vypnutí
Krátký proud zadních výklopných dveří
Nízká EMI
Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.