řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPA093N06N3GXKSA1 N-kanálový 43 A 60 V, TO-220 FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™ 3
Gehäusegröße
TO-220 FP
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
33 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
36 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
16.15mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 36,90
€ 0,738 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 36,90
€ 0,738 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,738 | € 7,38 |
| 100 - 240 | € 0,706 | € 7,06 |
| 250 - 490 | € 0,675 | € 6,75 |
| 500+ | € 0,629 | € 6,29 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™ 3
Gehäusegröße
TO-220 FP
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
33 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.65mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
36 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
4.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
16.15mm
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products