Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF6648TRPBF N-kanálový 86 A 60 V, DirectFET izometrický

Skladové číslo RS: 130-0948PZnačka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRF6648TRPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

86 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET izometrický

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.9V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

89 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.05mm

Počet prvků na čip

1

Länge

6.35mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

36 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.

Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 36,00

€ 1,80 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF6648TRPBF N-kanálový 86 A 60 V, DirectFET izometrický
Vyberte typ balenia

€ 36,00

€ 1,80 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: DirectFET, HEXFETMOSFET IRF6648TRPBF N-kanálový 86 A 60 V, DirectFET izometrický
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
20 - 48€ 1,80€ 3,60
50 - 98€ 1,68€ 3,36
100 - 198€ 1,56€ 3,12
200+€ 1,44€ 2,88

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

86 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET izometrický

Montage-Typ

Surface Mount

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.9V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

89 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

5.05mm

Počet prvků na čip

1

Länge

6.35mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

36 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Propustné napětí diody

1.3V

Podrobnosti o výrobku

DirectFET® Power MOSFET, Infineon

Napájecí sada DirectFET® je technologie balení MOSFET s povrchovou montáží. Technologie DirectFET® MOSFET je řešením, které snižuje ztráty energie a zároveň snižuje nároky na design v Advanced switching aplikacích.

Nejnižší odolnost v průmyslu v příslušných rozměrech
Extrémně nízká odolnost balíku, aby se minimalizovaly ztráty vedení
Vysoce účinné oboustranné chlazení výrazně zvyšuje hustotu, náklady a spolehlivost
Nízký profil pouze 0,7mm

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more