řada: HEXFETMOSFET IRF6668TRPBF N-kanálový 55 A 80 V, DirectFET izometrický, počet kolíků: 7 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.015 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2 972,82
€ 0,619 Each (On a Reel of 4800) (bez DPH)
4800
€ 2 972,82
€ 0,619 Each (On a Reel of 4800) (bez DPH)
4800
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
7
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.015 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.9V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products