řada: HEXFETMOSFET IRF9Z24NPBF P-kanálový 12 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
175 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Breite
4.69mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.54mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
8.77mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 40 V až 55 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 0,70
€ 0,70 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 0,70
€ 0,70 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 24 | € 0,70 |
25 - 49 | € 0,58 |
50 - 99 | € 0,55 |
100 - 249 | € 0,52 |
250+ | € 0,48 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
175 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Breite
4.69mm
Počet prvků na čip
1
Länge
10.54mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
8.77mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P 40 V až 55 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.