Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRLML0030TRPBF N-kanálový 5.3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 725-9344Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLML0030TRPBFDistrelec Article No.: 30284095
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

27 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,6 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.02mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,81

€ 0,14 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML0030TRPBF N-kanálový 5.3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 2,81

€ 0,14 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLML0030TRPBF N-kanálový 5.3 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
20 - 180€ 0,14€ 2,81
200 - 480€ 0,10€ 2,00
500 - 980€ 0,092€ 1,84
1000 - 1980€ 0,087€ 1,74
2000+€ 0,08€ 1,60

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

27 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,6 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.04mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.02mm

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more