řada: HiperFET, X2-ClassMOSFET IXFH46N65X2 N-kanálový 46 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
46 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
HiperFET, X2-Class
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
69 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
660 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
21.34mm
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
98 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
5.21mm
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2
Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.
Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 218,20
€ 7,273 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 218,20
€ 7,273 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
46 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
HiperFET, X2-Class
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
69 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
660 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
21.34mm
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
98 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
5.21mm
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiPerFET™ řady X2
Řada výkonových tranzistorů MOSFET třídy IXYS X2 HiPerFET nabízí ve srovnání s předchozími generacemi výkonových tranzistorů MOSFET výrazně nižší odpor a náboj hradel, což vede ke snížení ztrát a vyšší provozní efektivitě. Tato robustní zařízení jsou vybavena vylepšenou vysokorychlostní vnitřní diodou, která je vhodná pro použití v režimu pevných přepínačů i v režimu rezonancí. Výkonové tranzistory MOSFET třídy X2 jsou k dispozici v řadě standardních balení, včetně izolovaných typů, s ratingem až 120 A při 650 V. Mezi typické aplikace patří měniče DC-DC, AC a DC motory, spínací a rezonanční napájecí zdroje, měniče DC, solární invertory, řízení teploty a osvětlení.
Velmi nízká úroveň RDS(on) a QG (nabíjení brány)
Rychle zabudovaná usměrňovací dioda
Nízký vnitřní odpor brány
Nízká indukčnost součástky
Balení podle průmyslových norem
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products