IGBT modul MPMC100B120RH, konfigurace: Řada 100 A 1200 V N-kanálový, 7DM-2, počet kolíků: 7 Sériové zapojení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipMaximální stejnosměrný proud kolektoru
100 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
694 W
Gehäusegröße
7DM-2
Konfigurace
Series
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
7
Rychlost spínání
70kHz
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
94 x 48 x 22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Moduly IGBT, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipMaximální stejnosměrný proud kolektoru
100 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
694 W
Gehäusegröße
7DM-2
Konfigurace
Series
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
7
Rychlost spínání
70kHz
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
94 x 48 x 22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Moduly IGBT, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products