řada: BSN20BKMOSFET BSN20BKR N-kanálový 330 mA 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
BSN20BK
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
1.67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,49 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 80,76
€ 0,135 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
600
€ 80,76
€ 0,135 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
600
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 600 - 1400 | € 0,135 | € 13,46 |
| 1500+ | € 0,116 | € 11,56 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
BSN20BK
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
1.67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,49 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products