IGBT FGD3040G2-F085 N-kanálový 41 A 300 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMaximální stejnosměrný proud kolektoru
41 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
300 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±10V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT pro automobilové Fairchild Semiconductor
Tato zařízení EcoSPARK IGBT jsou optimalizována pro řízení automobilových zapalovacích cívek. Byly testovány na stres a splňují standard AEC-Q101.
Charakteristiky
• Pohon zadní stěny na úrovni logiky
• Ochrana ESD
• Aplikace: Obvody ovladače zapalovacích cívek Coil-on-Plug
Kódy RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
7-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2 389,60
€ 0,956 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 389,60
€ 0,956 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMaximální stejnosměrný proud kolektoru
41 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
300 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±10V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT pro automobilové Fairchild Semiconductor
Tato zařízení EcoSPARK IGBT jsou optimalizována pro řízení automobilových zapalovacích cívek. Byly testovány na stres a splňují standard AEC-Q101.
Charakteristiky
• Pohon zadní stěny na úrovni logiky
• Ochrana ESD
• Aplikace: Obvody ovladače zapalovacích cívek Coil-on-Plug
Kódy RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
7-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products