MOSFET NTF3055-100T1G N-kanálový 3 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
2.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
3.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V DC
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.65mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,77
€ 0,677 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 6,77
€ 0,677 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,677 | € 6,77 |
| 100 - 240 | € 0,583 | € 5,83 |
| 250 - 490 | € 0,506 | € 5,06 |
| 500+ | € 0,445 | € 4,45 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
2.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
3.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V DC
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.65mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products