Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
550 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.85mm
Länge
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 357,28
€ 0,089 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 357,28
€ 0,089 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
870 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
550 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.85mm
Länge
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku