Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
220 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,5 nC při 4 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
220 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,5 nC při 4 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.