Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
166 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Malaysia
€ 1 657,80
€ 1,105 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 1 657,80
€ 1,105 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
166 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Malaysia