řada: RAF040P01MOSFET RAF040P01TCL P-kanálový 4 A 12 V, SOT-323, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
RAF040P01
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
68 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
800 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.8mm
Länge
2.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.82mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 25,40
€ 0,254 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 25,40
€ 0,254 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,254 | € 5,08 |
| 200 - 480 | € 0,218 | € 4,36 |
| 500 - 980 | € 0,204 | € 4,07 |
| 1000+ | € 0,199 | € 3,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Řada
RAF040P01
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
68 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
800 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.8mm
Länge
2.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.82mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products