řada: STripFETMOSFET STR2P3LLH6 P-kanálový 2 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.3mm
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 92,35
€ 0,369 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
250
€ 92,35
€ 0,369 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
250
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,369 | € 18,47 |
| 500 - 1200 | € 0,332 | € 16,62 |
| 1250+ | € 0,33 | € 16,52 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.3mm
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products