Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
29 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
105 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
5.15mm
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 183,24
€ 6,108 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 183,24
€ 6,108 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 60 | € 6,108 | € 183,24 |
90 - 480 | € 5,064 | € 151,91 |
510 - 960 | € 4,471 | € 134,12 |
990+ | € 3,885 | € 116,54 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
29 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
105 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
5.15mm
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku