řada: NexFETMOSFET CSD16301Q2 N-kanálový 5 A 25 V, WSON, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 162-8525Značka: Texas InstrumentsČíslo dielu výrobcu: CSD16301Q2
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Řada

NexFET

Gehäusegröße

WSON

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

34 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.55V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.9V

Maximální ztrátový výkon

2,3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +10 V

Länge

2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

2mm

Höhe

0.8mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 500,04

€ 0,167 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD16301Q2 N-kanálový 5 A 25 V, WSON, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

€ 500,04

€ 0,167 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

řada: NexFETMOSFET CSD16301Q2 N-kanálový 5 A 25 V, WSON, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Řada

NexFET

Gehäusegröße

WSON

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

34 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.55V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.9V

Maximální ztrátový výkon

2,3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +10 V

Länge

2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Breite

2mm

Höhe

0.8mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more