Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
204 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 11,88
€ 2,376 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 11,88
€ 2,376 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,376 | € 11,88 |
25 - 45 | € 2,256 | € 11,28 |
50 - 120 | € 2,03 | € 10,15 |
125 - 245 | € 1,828 | € 9,14 |
250+ | € 1,738 | € 8,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
204 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku