řada: TrenchFETMOSFET SiR188DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 60 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.6V
Maximální ztrátový výkon
65.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5mm
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 656,00
€ 0,552 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 656,00
€ 0,552 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.6V
Maximální ztrátový výkon
65.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5mm
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products