Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3

Skladové číslo RS: 178-3960Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQD40061EL_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

107 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

2.38mm

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 13,20

€ 1,32 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 10.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 10.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 13,20
20€ 26,40
30€ 39,60
40€ 52,80
50€ 66,00
60€ 79,20
70€ 92,40
80€ 105,60
90€ 118,80
100€ 112,20
110€ 123,42
120€ 134,64
130€ 145,86
140€ 157,08
150€ 168,30

€ 13,20

€ 1,32 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 10.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 10.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 13,20
20€ 26,40
30€ 39,60
40€ 52,80
50€ 66,00
60€ 79,20
70€ 92,40
80€ 105,60
90€ 118,80
100€ 112,20
110€ 123,42
120€ 134,64
130€ 145,86
140€ 157,08
150€ 168,30

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 1,32€ 13,20
100 - 490€ 1,122€ 11,22
500 - 990€ 0,991€ 9,91
1000+€ 0,859€ 8,59

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

107 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

2.38mm

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more