Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,70
€ 1,97 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 19,70
€ 1,97 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 49 | € 1,97 |
50 - 99 | € 1,85 |
100 - 249 | € 1,75 |
250+ | € 1,40 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku