Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,40
€ 1,94 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
10
€ 19,40
€ 1,94 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 49 | € 1,94 |
50 - 99 | € 1,82 |
100 - 249 | € 1,70 |
250+ | € 1,60 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku