MOSFET SI3433CDV-T1-GE3 P-kanálový 6 A 20 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,62
€ 0,281 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 5,62
€ 0,281 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products