MOSFET SI4532ADY-T1-E3 N/P-kanálový 3 A, 3,7 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 710-4720Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4532ADY-T1-E3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A, 3,7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

53 mΩ, 80 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.13 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V, 8 nC při 10 V

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm

Podrobnosti o výrobku

Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET SI4532ADY-T1-E3 N/P-kanálový 3 A, 3,7 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET SI4532ADY-T1-E3 N/P-kanálový 3 A, 3,7 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N, P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A, 3,7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

53 mΩ, 80 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.13 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V, 8 nC při 10 V

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm

Podrobnosti o výrobku

Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more