MOSFET SIA517DJ-T1-GE3 N/P-kanálový-kanálový 4,3 A, 4,5 A 12 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A, 4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ, 170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
6.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
2.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,1 nC při 8 V, 9,7 nC při 8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 10,18
€ 0,509 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 10,18
€ 0,509 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,509 | € 10,18 |
| 200 - 480 | € 0,448 | € 8,96 |
| 500 - 980 | € 0,377 | € 7,54 |
| 1000 - 1980 | € 0,356 | € 7,13 |
| 2000+ | € 0,305 | € 6,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.3 A, 4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ, 170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
6.5 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
2.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,1 nC při 8 V, 9,7 nC při 8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products