Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 17 A, 40 V, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
SQ Rugged
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
24 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
7.14 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
74 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 23,04
€ 2,304 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 23,04
€ 2,304 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 2,304 | € 23,04 |
| 50 - 90 | € 1,843 | € 18,43 |
| 100 - 240 | € 1,613 | € 16,13 |
| 250 - 490 | € 1,496 | € 14,96 |
| 500+ | € 1,243 | € 12,43 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
SQ Rugged
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
24 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
7.14 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
74 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products