Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

Skladové číslo RS: 819-3920PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SQ4431EY-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

SQ Rugged

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

52 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

6 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 13,04

€ 0,652 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Vyberte typ balenia

€ 13,04

€ 0,652 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

SQ Rugged

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

52 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

6 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.55mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

MOSFET P-kanál, řada SQ Rugged, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more