MOSFET TP0610K-T1-GE3 P-kanálový 185 mA 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
185 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 15 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 4,09
€ 0,204 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 4,09
€ 0,204 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
185 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 15 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products