řada: C3MMOSFET C3M0065100K N-kanálový 35 A 1000 V, TO-247-4, počet kolíků: 4 SiC
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
TO-247-4
Řada
C3M
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
113.5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +19 V
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 15 V, 35 nC při 4 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.21mm
Höhe
23.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.8V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Silicon Carbide Power MOSFET, řada C3M, Cree Inc.
Nová technologie MOSFET C3M Silicon Carbide (SiC)
Minimální napětí 1000 V Drain-Source Breakdown v celém rozsahu provozní teploty
Nová sada s nízkou impedancí se zdrojem ovladače
8 mm prosakování/vůle mezi výpustným otvorem a zdrojem
Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou na výstupu
Vysoké blokovací napětí s nízkým stejnosměrným stavovým odporem
Lavinová robustnost
Rychlá vnitřní dioda s nízkou obnovou jízdy vzad
MOSFET Transistors, Cree Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 542,42
€ 18,081 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 542,42
€ 18,081 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
WolfspeedTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
TO-247-4
Řada
C3M
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Maximální ztrátový výkon
113.5 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +19 V
Materiál tranzistoru
SiC
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
16.13mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
35 nC při 15 V, 35 nC při 4 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.21mm
Höhe
23.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
4.8V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Silicon Carbide Power MOSFET, řada C3M, Cree Inc.
Nová technologie MOSFET C3M Silicon Carbide (SiC)
Minimální napětí 1000 V Drain-Source Breakdown v celém rozsahu provozní teploty
Nová sada s nízkou impedancí se zdrojem ovladače
8 mm prosakování/vůle mezi výpustným otvorem a zdrojem
Vysokorychlostní spínání s nízkou kapacitou na výstupu
Vysoké blokovací napětí s nízkým stejnosměrným stavovým odporem
Lavinová robustnost
Rychlá vnitřní dioda s nízkou obnovou jízdy vzad
MOSFET Transistors, Cree Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products