Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
66 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
150 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Höhe
9.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
Technologie UItraFET® Trench MOSFET kombinují vlastnosti, které umožňují dosáhnout standardní účinnosti v aplikacích pro konverzi napájení. Zařízení je schopno odolat vysoké energii v lavinovém režimu a dioda vykazuje velmi nízkou dobu zpětného zotavení a skladované nabití. Optimalizováno pro efektivitu při vysokých frekvencích, nejnižším RDS(on), nízkém ESR a nízkém celkovém zatížení Miller gate.
Aplikace v měničích DC-DC s vysokou frekvencí, přepínačích regulátorů, motorových ovladačích, nízkonapěťových sběrnicových spínačích a správě napájení.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Typ kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
66 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
55 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
150 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Höhe
9.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
Technologie UItraFET® Trench MOSFET kombinují vlastnosti, které umožňují dosáhnout standardní účinnosti v aplikacích pro konverzi napájení. Zařízení je schopno odolat vysoké energii v lavinovém režimu a dioda vykazuje velmi nízkou dobu zpětného zotavení a skladované nabití. Optimalizováno pro efektivitu při vysokých frekvencích, nejnižším RDS(on), nízkém ESR a nízkém celkovém zatížení Miller gate.
Aplikace v měničích DC-DC s vysokou frekvencí, přepínačích regulátorů, motorových ovladačích, nízkonapěťových sběrnicových spínačích a správě napájení.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.