řada: OptiMOS™MOSFET BSL215CH6327XTSA1 N/P-kanálový-kanálový 1,5 A 20 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ, 280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.6 V, 1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7 V, 1.2V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,73 nC při 4,5 V, 3 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 17,80
€ 0,297 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
60
€ 17,80
€ 0,297 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
60
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ, 280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.6 V, 1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7 V, 1.2V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,73 nC při 4,5 V, 3 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products