Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,38 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 36,70
€ 0,147 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
250
€ 36,70
€ 0,147 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
250
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
250 - 450 | € 0,147 | € 7,34 |
500 - 1200 | € 0,138 | € 6,91 |
1250 - 2450 | € 0,127 | € 6,37 |
2500+ | € 0,097 | € 4,86 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
330 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
SIPMOS®
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,38 nC při 10 V
Breite
1.3mm
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.