Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
20ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge
4.97mm
Breite
3.98mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Höhe
1.48mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2.7 V
Počet slov
32K
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 7,61
€ 7,61 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 7,61
€ 7,61 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 7,61 |
10 - 49 | € 5,73 |
50 - 99 | € 5,59 |
100 - 499 | € 5,41 |
500+ | € 5,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonVelikost paměti
256kbit
Organizace
32k x 8 bitů
Typ rozhraní
SPI
Šířka datové sběrnice
8bit
Maximální čas náhodného přístupu
20ns
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Abmessungen
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge
4.97mm
Breite
3.98mm
Maximální provozní napájecí napětí
5.5 V
Höhe
1.48mm
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Minimální provozní napájecí napětí
2.7 V
Počet slov
32K
Počet bitů na slovo
8bit
Automobilový standard
AEC-Q100
Podrobnosti o výrobku
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.